| Jonathan WinklerElektrolumineszenz von Gate-gesteuerten Silizium und Siliziumkarbid Leistungstransistoren und ihre Nutzbarkeit in Anwendungen der Leistungselektronik |
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ISBN: | 978-3-8440-8150-3 |
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Reeks: | Elektronik |
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Trefwoorden: | Leistungselektronik; Leistungstransistor; Silizium Si; Siliziumkarbid SiC; MOSFET; IGBT; Diode; Elektrolumineszenz; Lichtemission |
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Soort publicatie: | Dissertatie |
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Taal: | Duits |
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Pagina's: | 186 pagina's |
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Gewicht: | 275 g |
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Formaat: | 21 x 14,8 cm |
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Bindung: | Softcover |
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Prijs: | 48,80 € / 61,10 SFr |
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Verschijningsdatum: | Augustus 2021 |
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Samenvatting | In Analogie zu gewöhnlichen Leuchtdioden, können auch pn-Übergänge in gängigen Leistungshalbleiterbauelementen Licht emittieren.
Diese Arbeit beinhaltet Studien über die Eigenschaften der Lichtemission von Silizium und Siliziumkarbid Leistungshalbleiterbauelementen mit Fokus auf Dioden, MOSFETs sowie IGBTs: Es wird gezeigt, wie die durch Injektion hervorgerufene Elektrolumineszenz von vorwärts betriebenen pnÜbergängen in der Leistungselektronik zur Strommessung, Totzeitregelung oder zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur genutzt werden kann.
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